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快速退火是热处理技术的一种，是半导体材料和微加工领域常见的加工手段，其技术特点是将目标样品放置在特定的气氛环境中，在短时间内将样品加热到一定的温度，保持短时间后迅速冷却。通过快速退火，可以实现金属合金、杂质激活、结晶修复等工艺目的，在近年来快速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域，快速退火起着不可替代的作用。
与常见的管式退火炉、合金炉相比，快速管式退火炉具有更小的设备体积和技术腔体，配置有效灵活的热辐照源，可在数秒~数十秒内完成升温过程。通过快速退火，激活半导体材料中的混合要素，将材料中的非晶体结构恢复为晶体结构，特别是对于大量注入的样品，在高温下进行瞬态退火，在修复晶体损伤的同时，减少注入杂质的再分布，形成陡峭的杂质分布和突变结，具有良好的技术兼容性。
RTP-T150M型快速管式退火炉是桌面式半自动设备，抽屉式进出样品，一次加工样品尺寸为6英寸向下兼容的Windows框架图控制的人机接口设定了需求的技术条件，设备可以正确地完成快速升温的热处理过程，操作简单。
该设备通过上下层多个钨丝卤石英灯管加热，提供低温段≤±5℃、高温段≤±1%的温度均匀性、≤±3℃的温度重复性、≤30℃/s的升温速度、高温度达到1250℃的温度调节方面，通过多组独立的SCR模块实现整体温度场的控制，在操作灵活的技术过程中进行实时温度调节，低温段采用热偶调节(TC模式)，高温段采用红外调节器进行(PM模式)气体方面，设备配置三路工艺气体-Gas1(GN2)、Gas2(PN2)、Gas3(O2)，各路单独配置MFC流量控制精度≤±3%。在空腔压力方面，该设备配置小型干泵，通过APC精密计算控制，空腔压力控制范围可以降低到数十个mTorr。
